Stable analog resistance change in a Ag-ion controlled molecular-gap atomic switch achieved by reducing a switching area
Stable analog resistance change in a Ag-ion controlled molecular-gap atomic switch achieved by reducing a switching area
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通过减小开关面积实现银离子控制分子间隙原子开关中稳定的模拟电阻变化
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Tanimoto and T. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
谷本直柔;長谷川剛;N. Tanimoto and T. Hasegawa
