中村雅一: "フッ素処理による光CVD・SiO_2膜のSiMOS界面準位密度の低減とIR-ATRによる評価" 電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会. SDM89-151. 49-54 (1989)
中村雅一: "フッ素処理による光CVD・SiO_2膜のSiMOS界面準位密度の低減とIR-ATRによる評価" 電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会. SDM89-151. 49-54 (1989)
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Masakazu Nakamura：“通过氟处理降低 SiMOS 界面态密度并通过 IR-ATR 进行评估”电子、信息和通信工程师研究所硅材料和器件研究组 SDM89-151（ 1989）
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