Improvement of Subthreshold Characteristic of Gate-Recessed AlGaN/GaN Transistors by Using Dual-Gate Structure
Improvement of Subthreshold Characteristic of Gate-Recessed AlGaN/GaN Transistors by Using Dual-Gate Structure
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利用双栅结构改善栅凹进式AlGaN/GaN晶体管的亚阈值特性
DOI：
10.1109/ted.2017.2741001
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发表时间：
2017
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yang L
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang Ling;Hou Bin;Zhu Jiejie;Zhang Meng;Zhu Qing;Zhou Xiaowei;Lv Ling;Ma Xiaohua;Mi Minhan;He Yunlong;Lu Yang;Hao Yue;Cao Yanrong;Yang L
