Temperature Effects on Static Characteristics of Complementary Field Effect Transistors with Si and Ge Nanosheets
Temperature Effects on Static Characteristics of Complementary Field Effect Transistors with Si and Ge Nanosheets
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温度对硅、锗纳米片互补场效应晶体管静态特性的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Wen Hsin Chang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Junichi Hattori;Koichi Fukuda;Tsutomu Ikegami;and Wen Hsin Chang
