Atomic-scale surface roughness depending on the ion incident angle during Si etching in chlorine-based plasmas
Atomic-scale surface roughness depending on the ion incident angle during Si etching in chlorine-based plasmas
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原子级表面粗糙度取决于氯基等离子体中硅蚀刻过程中离子入射角
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kouichi Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hirotaka Tsuda;Yoshinori Takao;Koji Eriguchi;Kouichi Ono
