Anomalous metal-insulator transition in filled skutterudite CeOs4Sb12
Anomalous metal-insulator transition in filled skutterudite CeOs4Sb12
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填充方钴矿 CeOs4Sb12 中的反常金属-绝缘体转变
DOI：
10.1143/jpsj.75.033706
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发表时间：
2006
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Saso
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yoshiki Imai;K. Sakurazawa;T. Saso
通过建立有效紧束缚模型，考虑f电子间的库仑排斥作用，研究了填充方钴矿CeOs 4Sb 12中观察到的反常金属-绝缘体相变. B.
Anomalous metal–insulator transition observed in filled skutterudite CeOs 4 Sb 12 is investigated by constructing the effective tight-binding model with the Coulomb repulsion between f electrons. B...
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影响因子：
3.7
作者：
H. Sugawara;S. Osaki;M. Kobayashi;T. Namiki;S. Saha;Y. Aoki;H. Sato
通讯作者：
H. Sugawara;S. Osaki;M. Kobayashi;T. Namiki;S. Saha;Y. Aoki;H. Sato
CeOs4Sb12 的非弹性中子散射
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. 74(No.10)
影响因子：
--
作者：
Changping Yang;K.Iwasa;et al.
通讯作者：
et al.
二维哈伯德模态中磁场诱导的反铁磁性：CeRhIn5 的分析
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. 74(1)
影响因子：
--
作者：
J.Taniguchi;T.Okuno;H.Ikegami;N.Wada;H.Kitano;櫻沢啓太郎 他
通讯作者：
櫻沢啓太郎 他
影响因子：
3.7
作者：
Bauer, ED;Frederick, NA;Maple, MB
通讯作者：
Maple, MB
填充方钴矿化合物 CeOs_4Sb_<12> 中量子临界点附近的新型相变：Sb-NQR 研究
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. 74
影响因子：
--
作者：
M.Yogi;et al.
通讯作者：
et al.