Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially-Strained Si MOSFETs

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全面了解双轴应变 Si MOSFET 中的库仑散射迁移率

DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
IEEE Trans. Electron Devices 56
影响因子：
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通讯作者：
S.Takagi
S.Takagi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Y.Zhao;M.Takenaka;S.Takagi

文献摘要

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