Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence
Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence
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通过分析光致发光的温度依赖性演示 InAs/InAsSb 超高密度量子点中面内微带的形成
DOI：
10.35848/1347-4065/ac9349
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发表时间：
2022
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yamaguchi Koichi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tatsugi Sho;Miyashita Naoya;Sogabe Tomah;Yamaguchi Koichi
