Cu Filling Characteristics in Through-Si Via Holes by Electroless Plating with Addition of Inhibitors
Cu Filling Characteristics in Through-Si Via Holes by Electroless Plating with Addition of Inhibitors
复制标题
添加抑制剂的化学镀硅通孔中的 Cu 填充特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Shingubara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Inoue;M. Koyanagi;T. Fukushima;K. Yamamoto;S. Tanaka;Z. wang;S. Shingubara
