Simulation of Electron Mobility in 4H-SiC MOS Interface Focusing on Impacts of Interface States
Simulation of Electron Mobility in 4H-SiC MOS Interface Focusing on Impacts of Interface States
复制标题
4H-SiC MOS 界面中的电子迁移率仿真，重点关注界面态的影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Tanaka and N. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋拓也;小野原彩香;井原泰雄;小野原彩香;田中 ー，森 伸也;H. Tanaka and N. Mori
