InP基板上II-VI族半導体光デバイスのp側電極抵抗低減に向けたコンタクト層及び電極材料の検討
InP基板上II-VI族半導体光デバイスのp側電極抵抗低減に向けたコンタクト層及び電極材料の検討
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InP衬底上降低II-VI族半导体光器件p侧电极电阻的接触层和电极材料研究
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高松眞吾，野村一郎，白石智裕，岸野克巳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomohiro Shiraishi;Ichirou Nomura;Shingo Takamatsu;and Katsumi Kishino;高松眞吾，野村一郎，白石智裕，岸野克巳
