An adaptive remeshing technique based on hierarchical error estimates for simulation of semiconductor devices
An adaptive remeshing technique based on hierarchical error estimates for simulation of semiconductor devices
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DOI：
10.1002/jnm.520
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Geng Yang;Ruchuan Wang;Shao-hui Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Geng Yang;Ruchuan Wang;Shao-hui Wang
我们讨论第一层次的误差估计和网格细化的标准。然后简要介绍了半导体模型的流体力学模型。基于电子速度的人工粘性技术，我们提出求解泊松方程来获得网格优化的修正。最后，我们模拟了一个栅长为0.3 μm的GaAsMESFET器件，并对数值结果进行了讨论。版权所有© 2004年约翰威利父子有限公司。
We discuss first hierarchical error estimates and a criterion for mesh refinement. Then we describe briefly the hydrodynamic model of semiconductor model. Based on artificial viscosity technique about electron velocity, we propose to solve a Poisson equation to obtain a correction about mesh optimization. Finally, we simulate a GaAs MESFET's device with a gate of 0.3 µm length and give some discussions about numerical results. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd.