植松真司, 影島博之, 白石賢二: "Interfacial silicon emission in dry oxidation -the effect of H and Cl"Japanese Journal of Applied Physics Part I. 41・4B. 2455-2458 (2002)
植松真司, 影島博之, 白石賢二: "Interfacial silicon emission in dry oxidation -the effect of H and Cl"Japanese Journal of Applied Physics Part I. 41・4B. 2455-2458 (2002)
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Shinji Uematsu、Hiroyuki Kageshima、Kenji Shiraishi：“干氧化中的界面硅发射 - H 和 Cl 的影响”日本应用物理杂志第 I. 41・4B (2002)。
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