Initial growth of GaP layers on Si substrates by MOVPE
Initial growth of GaP layers on Si substrates by MOVPE
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通过 MOVPE 在 Si 衬底上初始生长 GaP 层
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Watanabe;K. Morizumi;S. Fuke;Y. Takano
