Interlayer coupling effects on Schottky barrier in the arsenene-graphene van der Waals heterostructures
Interlayer coupling effects on Schottky barrier in the arsenene-graphene van der Waals heterostructures
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砷烯-石墨烯范德华异质结构中肖特基势垒的层间耦合效应
DOI：
10.1063/1.4935602
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发表时间：
2015-11
影响因子：
4
通讯作者：
Jia, Yu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xue, Bin;Wang, Tianxing;Peng, Yuting;Jia, Yu
使用第一原理方法研究了阿森烯 - 格拉烯范德华（VDW）异质结构的电子特性。结果表明，在费米水平周围的线性狄拉克般的分散关系可以很好地保存在
The electronic characteristics of arsenene-graphene van der Waals (vdW) heterostructures are studied by using first-principles methods. The results show that a linear Dirac-like dispersion relation around the Fermi level can be quite well preserved in the vdW heterostructures. Moreover, the p-type Schottky barrier (0.18 eV) to n-type Schottky barrier (0.31 eV) transition occurs when the interlayer distance increases from 2.8 to 4.5 A, which indicates that the Schottky barrier can be tuned effectively by the interlayer distance in the vdW heterostructures.
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影响因子：
10.8
作者：
Diaz, Horacio Coy;Avila, Jose;Batzill, Matthias
通讯作者：
Batzill, Matthias
影响因子：
3
作者：
Grimme, Stefan
通讯作者：
Grimme, Stefan
DOI：
10.1038/s43586-022-00151-5
发表时间：
2014-03
期刊：
Nature Reviews Methods Primers
影响因子：
--
作者：
R. Gorbachev
通讯作者：
R. Gorbachev
影响因子：
4
作者：
M. Kamalakar;André Dankert;J. Bergsten;T. Ive;S. Dash
通讯作者：
M. Kamalakar;André Dankert;J. Bergsten;T. Ive;S. Dash
影响因子：
29.4
作者：
I. Sokolov;Hong Yang;G. Ozin;C. Kresge
通讯作者：
I. Sokolov;Hong Yang;G. Ozin;C. Kresge