Low frequency noise in MOS transistors—II Experiments
Low frequency noise in MOS transistors—II Experiments
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MOS晶体管的低频噪声——实验二
DOI：
10.1016/0038-1101(68)90101-9
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发表时间：
1968
影响因子：
1.7
通讯作者：
I. Lundström
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Christensson;I. Lundström
