p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード
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p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si结构的电阻可变非易失性存储二极管
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
素村晃浩;塚本貴広;加藤格;雑賀章浩;須田良幸
