Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted
Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted
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通过注入改善 ZrO2 基 ReRAM 的阻变特性
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
4.9
通讯作者：
Zhang, S
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zuo, QY;Liu, Q;Liu, M;Wang, W;Chen, JN;Long, SB;Zhang, S
