Influence of the InGaZnO channel layer thickness on the performance of thin film transistors
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DOI：
10.1016/j.spmi.2013.08.017
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发表时间：
2013-11
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xingwei Ding;Jianhua Zhang;Jun Li;Hao Zhang;Weimin Shi;Xueyin Jiang;Zhilin Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xingwei Ding;Jianhua Zhang;Jun Li;Hao Zhang;Weimin Shi;Xueyin Jiang;Zhilin Zhang
