Precise control in recessed-gate etching for AlGaN/GaN HEMTs by utilizing photo- electrochemical reactions
Precise control in recessed-gate etching for AlGaN/GaN HEMTs by utilizing photo- electrochemical reactions
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利用光电化学反应精确控制 AlGaN/GaN HEMT 的凹栅蚀刻
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Komatsu;M. Toguchi;and T. Sato
