Solution-processed coplanar top-gate ZnInSnO thin film transistors and bias stability
Solution-processed coplanar top-gate ZnInSnO thin film transistors and bias stability
复制标题
溶液处理共面顶栅 ZnInSnO 薄膜晶体管和偏置稳定性
DOI：
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发表时间：
2019
影响因子：
0.5
通讯作者：
Li Xifeng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang Xiang;Gao Yana;Li Xifeng
