SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI(Ge on Insulator)の形成
SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI(Ge on Insulator)の形成
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通过 SiGe 混合诱导熔体生长方法形成无缺陷/高迁移率 GOI（绝缘体上的 Ge）
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
都甲薫;田中貴規;大田康晴;坂根尭;横山裕之;黒澤昌志;他
