M.Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"Inst Phys.Conf.Ser.No162. No.162. 143-148 (1999)
M.Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"Inst Phys.Conf.Ser.No162. No.162. 143-148 (1999)
复制标题
M.Yoshita：“通过固体浸没光致发光显微镜研究刻面生长 GaAs 量子阱中的载流子转移”Inst Phys.Conf.Ser.No162。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
