Current-perpendicular-to-plane-magnetoresistance properties of Ru and Co/Ru interfaces
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DOI：
10.1063/1.1447294
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发表时间：
2002-05
影响因子：
3.2
通讯作者：
K. Eid;R. Fonck;M. A. Darwish;W. Pratt;J. Bass
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Eid;R. Fonck;M. A. Darwish;W. Pratt;J. Bass
最近对Ru和Co/Ru多层膜的兴趣促使我们在4.2K下测量了它们在垂直于平面的电流几何结构中的性质。对于溅射样品，我们给出了Ru的电阻率，Cu/Ru和Co/Ru的界面比电阻，Ru的自旋记忆损失长度lsfRu，铜/Ru界面的自旋记忆损失几率，以及Co/Ru界面的自旋散射各向异性参数γ的结果。
Recent interest in Ru and Co/Ru multilayers stimulated us to measure their properties in the current-perpendicular-to-plane (CPP) geometry at 4.2 K. For sputtered samples, we present results for the resistivity of Ru, the interface specific resistances of Cu/Ru and Co/Ru, the spin-memory-loss length lsfRu in Ru, the spin-memory-loss probability at Cu/Ru interfaces, and the spin-scattering anisotropy parameter γ at Co/Ru interfaces.