Usami N, Miura M, Ito Y, Araki Y, Shiraki Y: "Drastic increase of the density of Ge islands by capping with a thin Si layer"Appl. Phys. Lett.. 77. 217-219 (2000)
Usami N, Miura M, Ito Y, Araki Y, Shiraki Y: "Drastic increase of the density of Ge islands by capping with a thin Si layer"Appl. Phys. Lett.. 77. 217-219 (2000)
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Usami N、Miura M、Ito Y、Araki Y、Shiraki Y：“通过覆盖薄硅层，大幅增加 Ge 岛的密度”
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