The Ground State of the Sn/Ge(111)-3×3 Surface and its Electron-Beam-Induced Disordering.
The Ground State of the Sn/Ge(111)-3×3 Surface and its Electron-Beam-Induced Disordering.
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Sn/Ge(111)-3×3 表面的基态及其电子束引起的无序。
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Shirasawa;H.Tochihara;K.Kubo;W.Voegeli;T.Takahashi
