高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度の定量評価及び引張り歪からの影響
高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度の定量評価及び引張り歪からの影響
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使用高精度 TEM 和新的数据分析方法定量评估 MOS 界面粗糙度迁移率和拉伸应变的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
趙毅;松本弘昭;佐藤岳志;小山晋;竹中充;高木信一
