Effects of growth pressure on the properties of p-GaN layers
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.04.030
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发表时间：
2011-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Xian;Shanjin Huang;Zhiyuan Zheng;B. Fan;Zhisheng Wu;Hao Jiang;Gang Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Xian;Shanjin Huang;Zhiyuan Zheng;B. Fan;Zhisheng Wu;Hao Jiang;Gang Wang
