単一量子ドット中の電子占有率υ>2における負性微分抵抗
単一量子ドット中の電子占有率υ>2における負性微分抵抗
复制标题
单量子点电子占有率υ>2时的负微分电阻
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
日達 研一,井上 敦文,大岩 顕,樽茶 清悟
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Hitachi;A. Oiwa;S. Tarucha;日達 研一,井上 敦文,大岩 顕,樽茶 清悟
