Persistent hysteresis in graphene-mica van der Waals heterostructures
Persistent hysteresis in graphene-mica van der Waals heterostructures
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石墨烯-云母范德华异质结构中的持续磁滞
DOI：
10.1088/0957-4484/26/1/015202
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
R. Danneau
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Mohrmann;K. Watanabe;T. Taniguchi;R. Danneau
本文报道了石墨烯-云母货车范德华异质结构中电子输运的研究。我们已经设计了各种石墨烯场效应器件，其中云母被用作衬底和/或栅极电介质。当云母被用作栅极电介质，我们观察到一个非常强的正栅电压滞后的电阻，这持续在样品中，在一个受控的气氛下，甚至毫开尔文温度下制备。在双栅极云母-石墨烯-hBN货车德瓦尔斯异质结构中，我们发现，虽然当云母用作衬底/栅极电介质时发生强滞后，但是当通过具有hBN电介质的第二栅极调谐电荷载流子密度时，云母衬底上的相同石墨烯片不再显示滞后。虽然这种滞后行为可能是有用的存储设备，我们的研究结果证实，样品制备过程中的环境必须严格控制。
We report the study of electronic transport in graphene-mica van der Waals heterostructures. We have designed various graphene field-effect devices in which mica is utilized as a substrate and/or gate dielectric. When mica is used as a gate dielectric we observe a very strong positive gate voltage hysteresis of the resistance, which persists in samples that were prepared in a controlled atmosphere down to even millikelvin temperatures. In a double-gated mica-graphene-hBN van der Waals heterostructure, we found that while a strong hysteresis occurred when mica was used as a substrate/gate dielectric, the same graphene sheet on mica substrate no longer showed hysteresis when the charge carrier density was tuned through a second gate with the hBN dielectric. While this hysteretic behavior could be useful for memory devices, our findings confirm that the environment during sample preparation has to be controlled strictly.
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