Growth of 2H-A1N films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth
Growth of 2H-A1N films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth
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使用界面反应外延和 AM-MEE 进行 HVPE 生长，通过 RF-MBE 在 Si(111) 上生长 2H-AlN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Ohachi;N.Yamabe;K.Ohkusa;H.Murakami;Y.Kumagai;A.Koukitu
