Surface Passivation Using a Si Interface Control Layer for AlGaAs/GaAs Quantum Structures Fabricated on GaAs(111)B Substrates.
Surface Passivation Using a Si Interface Control Layer for AlGaAs/GaAs Quantum Structures Fabricated on GaAs(111)B Substrates.
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使用 Si 界面控制层对 GaAs(111)B 基板上制造的 AlGaAs/GaAs 量子结构进行表面钝化。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Akazawa;N.Shiozaki;T.Sato;H.Hasegawa
