Epitaxial growth of high quality BAlGaN quaternary lattice matched to AlN on 6H–SiC substrate by LP-MOVPE for deep-UV emission
Epitaxial growth of high quality BAlGaN quaternary lattice matched to AlN on 6H–SiC substrate by LP-MOVPE for deep-UV emission
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通过 LP-MOVPE 在 6H-SiC 衬底上外延生长与 AlN 匹配的高质量 BAlGaN 四元晶格，用于深紫外发射
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)02026-7
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
H. Kawanishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Takano;M. Kurimoto;J. Yamamoto;H. Kawanishi
