Growth of non-polar (1 1 2¯ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE
Growth of non-polar (1 1 2¯ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE
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通过选择性 MOVPE 在图案化 (1 1 0)Si 衬底上生长非极性 (1 1 2´ 0)GaN
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tanikawa;D. Rudolph;T. Hikosaka;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
