Eletronic structure of semiconducting CcFe_4P_12:Strong hybridizatjon and rclevance of single-impurity Anderson modeI
Eletronic structure of semiconducting CcFe_4P_12:Strong hybridizatjon and rclevance of single-impurity Anderson modeI
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半导体CcFe_4P_12的电子结构：单杂质Anderson模式I的强杂化与相关性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaharu Matsunami;et. al.
