浮遊電極を用いた2端子型抵抗変化型不揮発性メモリ
浮遊電極を用いた2端子型抵抗変化型不揮発性メモリ
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使用浮动电极的2端子电阻可变非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
野村彬成;山口祐一郎;須田良幸
