Relating Random Telegraph Signal Noise in Metal Oxide Semiconductor Transistors to Interface Trap Energy Distribution
Relating Random Telegraph Signal Noise in Metal Oxide Semiconductor Transistors to Interface Trap Energy Distribution
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将金属氧化物半导体晶体管中的随机电报信号噪声与界面陷阱能量分布联系起来
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Nauta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. P. V. D. Wel;E. Klumperink;E. Hoekstra;B. Nauta
在这项工作中，我们研究随机电报信号（RTS）噪声的金属氧化物半导体场效应晶体管的设备是周期性的，并迅速循环之间的“开”和“关”的偏置状态。我们推导出有效的RTS时间常数在这种情况下使用Shockley-Read-Hall统计瞬态条件下应用。通过这种方式，我们表明，在这种偏置条件下经常观察到的RTS噪声的减少可以通过非均匀（例如，界面陷阱的能量分布呈U型。
In this work, we study random telegraph signal (RTS) noise in metal-oxide-semiconductor field effect transistors when the device is periodically and rapidly cycled between an "on" and an "off" bias state. We derive the effective RTS time constants for this case using Shockley-Read-Hall statistics applied under transient conditions. In this way, we show that the oft-observed reduction in RTS noise under such bias conditions can be explained by a nonuniform (e.g., U-shaped) distribution in energy of interface traps.