Fabrication of Single-Electron Transistor Composed of a Self-Assembled Quantum Dot and Nanogap Electrode by Atomic Force Microscope Local Oxidation
Fabrication of Single-Electron Transistor Composed of a Self-Assembled Quantum Dot and Nanogap Electrode by Atomic Force Microscope Local Oxidation
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原子力显微镜局部氧化制备自组装量子点和纳米间隙电极组成的单电子晶体管
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Machida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Moriya;H.Kobayashi;K.Shibata;S.Masubuchi;K.Hirakawa;S.Ishida;Y.Arakawa;T.Machida
