半導体の線幅標準に関する研究（第10報）－AFM及びSTEMによるレジスト形状測定－
半導体の線幅標準に関する研究（第10報）－AFM及びSTEMによるレジスト形状測定－
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半导体线宽标准研究（第10次报告） - 使用AFM和STEM的抗蚀剂形状测量 -
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
沖藤春樹，高橋哲，高増潔
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Saito;Y. Yoshinori;H. Mimura;沖藤春樹，高橋哲，高増潔
