Effect of low-temperature annealing on the crystallinity of III–V-based diluted magnetic semiconductors
Effect of low-temperature annealing on the crystallinity of III–V-based diluted magnetic semiconductors
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低温退火对III-V基稀磁半导体结晶度的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)02063-2
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Iye
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hashimoto;T. Hayashi;S. Katsumoto;Y. Iye
