Y.Koide: "Growth processes in the initial stage of Ge films on(811)Si surfaces by GeH_4 source molecular beam epitaxy" J.Appl.Phys.68. 2164-2167 (1990)
Y.Koide: "Growth processes in the initial stage of Ge films on(811)Si surfaces by GeH_4 source molecular beam epitaxy" J.Appl.Phys.68. 2164-2167 (1990)
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Y.Koide：“GeH_4源分子束外延在(811)Si表面上Ge薄膜初始阶段的生长过程”J.Appl.Phys.68。
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