Computationally efficient method for scattering device simulation in nanoscale MOSFETs
Computationally efficient method for scattering device simulation in nanoscale MOSFETs
复制标题
纳米级 MOSFET 散射器件仿真的计算高效方法
DOI：
10.1016/j.sse.2007.02.040
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发表时间：
2007
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Ohzone
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Iwata;T. Matsuda;T. Ohzone
影响因子：
3.2
作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
通讯作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons