Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and n-GaN by scanning internal photoemission microscopy
Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and n-GaN by scanning internal photoemission microscopy
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通过扫描内部光电显微镜估计印刷 Ni 电极和 n-GaN 之间肖特基接触的均匀性
DOI：
10.35848/1347-4065/ac7bc5
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发表时间：
2022
影响因子：
1.5
通讯作者：
Tamai Toshiyuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shiojima Kenji;Kawasumi Yuto;Yasui Yuto;Kashiwagi Yukiyasu;Tamai Toshiyuki
