Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
复制标题
利用MBE原位反射率监测仪精确控制VCSEL结构的生长
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Maruyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Mizutani;F.Teramae;K.Takeuchi;T.Murase;S.Naritsuka;T.Maruyama
