Processing Characteristics in Catalyst-Reffered Ething of 4H-SiC (0001) Substrate
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4H-SiC (0001) 基片的催化剂参考蚀刻加工特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yamauchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Okamoto;Y.Sano;K.Tachibana;K.Arima;A.N.Hattori;K.Yagi;J.Murata;S.Sadakuni;K.Yamauchi
