坂野 順一,古川 静二郎: "高濃度B^+イオン注入層へのGe導入による歪補償効果とその電気的特性" 第13回イオン工学シンポジウム「イオン源とイオンを基礎とした応用技術」:特別セミナ-. 199-201 (1990)
坂野 順一,古川 静二郎: "高濃度B^+イオン注入層へのGe導入による歪補償効果とその電気的特性" 第13回イオン工学シンポジウム「イオン源とイオンを基礎とした応用技術」:特別セミナ-. 199-201 (1990)
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Junichi Sakano、Seijiro Furukawa：“通过将Ge引入高浓度B^+离子注入层的应变补偿效应及其电特性”第13届离子工程研讨会“离子源和基于离子的应用技术”：专题研讨会199-。 -201 (1990)
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