Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals
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重锡掺杂硅晶体的直拉法生长
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Tokumoto and Y. Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Yonenaga;T. Taishi;K. Inoue;R. Gotoh;K. Kutsukake;Y. Tokumoto and Y. Ohno
