H. Hasegawa: "Evolution Mechanism of Nearly-Pinning free Platinum/N-Type Indium Phosphide Interface with a High Schottky Barrier Height by In-Situ Electrochemical Process" J.Vac.Sci.Technol.B. 15. 1227-34 (1997)
H. Hasegawa: "Evolution Mechanism of Nearly-Pinning free Platinum/N-Type Indium Phosphide Interface with a High Schottky Barrier Height by In-Situ Electrochemical Process" J.Vac.Sci.Technol.B. 15. 1227-34 (1997)
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H. Hasekawa：“通过原位电化学过程实现具有高肖特基势垒高度的近钉扎铂/N 型磷化铟界面的演化机制”J.Vac.Sci.Technol.B。
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