SOI-nMOSFETにおける機械的応力効果のゲート長さおよび負荷方向依存性のデバイスシミュレーション
SOI-nMOSFETにおける機械的応力効果のゲート長さおよび負荷方向依存性のデバイスシミュレーション
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SOI-nMOSFET 中机械应力效应的栅极长度和负载方向依赖性的器件仿真
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
塩田智基，小金丸正明，塩塚航生，松本聡，池田徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kanazawa Seiji;Mizeraczyk Jerzy;Nakatani Toshiaki;Kuno Akihito;Furuki Takashi;Tachibana Kosuke;Ichiki Ryuta;Kocik Marek;塩田智基，小金丸正明，塩塚航生，松本聡，池田徹
