Effects of surface states and Si-interlayer based surface passivation on GaAs quantum wires grown by selective molecular beam epitaxy
Effects of surface states and Si-interlayer based surface passivation on GaAs quantum wires grown by selective molecular beam epitaxy
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表面态和基于硅夹层的表面钝化对选择性分子束外延生长的GaAs量子线的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Shiozaki;T.Sato;H.Hasegawa
